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Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
比较
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
总分
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
38
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
24
读取速度,GB/s
14.4
17.2
写入速度,GB/s
9.5
12.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2361
3204
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
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