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Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB vs Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
总分
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
38
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
29
读取速度,GB/s
14.4
17.3
写入速度,GB/s
9.5
14.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2361
3395
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB RAM的比较
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Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
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