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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
66
左右 33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
66
读取速度,GB/s
13.2
16.7
写入速度,GB/s
9.1
8.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
1912
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
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