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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
44
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
27
读取速度,GB/s
13.2
17.1
写入速度,GB/s
9.1
13.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
3350
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
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