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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
16
44
左右 -175% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.7
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
16
读取速度,GB/s
13.2
22.2
写入速度,GB/s
9.1
17.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
3834
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-119.A00G 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
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