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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
44
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
33
读取速度,GB/s
13.2
17.0
写入速度,GB/s
9.1
14.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
3422
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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