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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
53
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
53
读取速度,GB/s
13.2
14.0
写入速度,GB/s
9.1
12.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
3020
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
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