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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
44
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
30
读取速度,GB/s
13.2
17.5
写入速度,GB/s
9.1
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
3520
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
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