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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
44
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
30
读取速度,GB/s
13.2
15.5
写入速度,GB/s
9.1
11.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
3198
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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