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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
44
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
25
读取速度,GB/s
13.2
17.6
写入速度,GB/s
9.1
14.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
3297
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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