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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
44
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
38
读取速度,GB/s
13.2
15.0
写入速度,GB/s
9.1
12.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
3005
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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