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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
49
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
49
读取速度,GB/s
13.2
9.8
写入速度,GB/s
9.1
8.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
2277
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
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