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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
44
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
25
读取速度,GB/s
13.2
14.8
写入速度,GB/s
9.1
10.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
2695
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB RAM的比较
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
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