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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
44
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
36
读取速度,GB/s
13.2
15.0
写入速度,GB/s
9.1
11.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
2664
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
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