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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
44
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
24
读取速度,GB/s
13.2
16.8
写入速度,GB/s
9.1
14.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
3167
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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