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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB

总分
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

总分
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Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB

差异 规格 评论

差异

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB 需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.2 left arrow 12.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.1 left arrow 6.2
    测试中的平均数值
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 44
    左右 -69% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    44 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    13.2 left arrow 12.6
  • 写入速度，GB/s
    9.1 left arrow 6.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2302 left arrow 1970

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB RAM的比较

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G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
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内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
内存RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
内存RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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