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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
44
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
38
读取速度,GB/s
13.2
13.4
写入速度,GB/s
9.1
9.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
2298
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
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