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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
44
左右 -132% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
19
读取速度,GB/s
13.2
19.2
写入速度,GB/s
9.1
15.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
3336
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB RAM的比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
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