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Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
比较
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
总分
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
差异
规格
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Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
53
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
36
读取速度,GB/s
11.1
14.0
写入速度,GB/s
7.2
10.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1885
2416
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB RAM的比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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