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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
比较
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
总分
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
26
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.5
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.4
9.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
18
26
读取速度,GB/s
20.5
14.2
写入速度,GB/s
16.4
9.8
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3530
2890
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
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