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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
52
左右 -126% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.3
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
23
读取速度,GB/s
4,226.4
14.4
写入速度,GB/s
1,479.2
7.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
2236
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
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