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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
52
左右 -126% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.9
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
23
读取速度,GB/s
4,226.4
16.3
写入速度,GB/s
1,479.2
11.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
2629
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
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