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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
52
左右 -11% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.5
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
47
读取速度,GB/s
4,226.4
11.5
写入速度,GB/s
1,479.2
13.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
2793
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
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