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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
52
左右 -79% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.6
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
29
读取速度,GB/s
4,226.4
17.0
写入速度,GB/s
1,479.2
12.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
3140
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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