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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
52
左右 -93% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.8
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
27
读取速度,GB/s
4,226.4
14.6
写入速度,GB/s
1,479.2
10.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
2290
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
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