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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
52
左右 -79% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
29
读取速度,GB/s
4,226.4
15.1
写入速度,GB/s
1,479.2
9.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
2589
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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