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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
52
左右 -86% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
28
读取速度,GB/s
4,226.4
16.1
写入速度,GB/s
1,479.2
12.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
3010
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM的比较
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
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Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
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