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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
52
左右 -73% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
30
读取速度,GB/s
4,226.4
16.5
写入速度,GB/s
1,479.2
12.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
3158
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
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