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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
52
左右 -33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
39
读取速度,GB/s
4,226.4
14.9
写入速度,GB/s
1,479.2
15.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
3233
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
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