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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
52
左右 -93% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
19.1
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
27
读取速度,GB/s
4,226.4
21.9
写入速度,GB/s
1,479.2
19.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
4044
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
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