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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
23.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
52
左右 -79% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
18.3
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
29
读取速度,GB/s
4,226.4
23.4
写入速度,GB/s
1,479.2
18.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
4208
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
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