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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
52
左右 -53% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.6
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
34
读取速度,GB/s
4,226.4
16.0
写入速度,GB/s
1,479.2
11.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
2917
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
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