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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
52
左右 -136% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
22
读取速度,GB/s
4,226.4
17.3
写入速度,GB/s
1,479.2
12.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
3114
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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