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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
52
左右 -68% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.6
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
31
读取速度,GB/s
4,226.4
17.0
写入速度,GB/s
1,479.2
15.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
3509
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
INTENSO 5641160 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
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