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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
52
左右 -44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
36
读取速度,GB/s
4,226.4
14.2
写入速度,GB/s
1,479.2
10.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
2474
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
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