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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,935.8
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
45
左右 -61% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
28
读取速度,GB/s
6,336.8
18.3
写入速度,GB/s
2,935.8
15.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
3535
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
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