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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,935.8
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
45
左右 -61% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
28
读取速度,GB/s
6,336.8
18.3
写入速度,GB/s
2,935.8
14.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
3454
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM的比较
OCZ OCZ2T8001G 1GB
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Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
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