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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,935.8
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
45
左右 -61% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
28
读取速度,GB/s
6,336.8
18.3
写入速度,GB/s
2,935.8
14.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
3454
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OCZ OCZ2T8001G 1GB
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Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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