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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,935.8
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
45
左右 -55% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
29
读取速度,GB/s
6,336.8
17.3
写入速度,GB/s
2,935.8
14.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
3395
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM的比较
OCZ OCZ2T8001G 1GB
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Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
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