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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,935.8
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
45
左右 -114% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
21
读取速度,GB/s
6,336.8
17.2
写入速度,GB/s
2,935.8
13.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
3460
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
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