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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,935.8
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
45
左右 -67% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
27
读取速度,GB/s
6,336.8
18.5
写入速度,GB/s
2,935.8
13.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
3061
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM的比较
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
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