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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
18.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,935.8
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
45
左右 -25% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
36
读取速度,GB/s
6,336.8
18.6
写入速度,GB/s
2,935.8
15.3
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
3372
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CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
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AMD R744G2400U1S 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
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