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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,935.8
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
45
左右 -67% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
27
读取速度,GB/s
6,336.8
16.5
写入速度,GB/s
2,935.8
13.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
2892
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
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