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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
45
左右 -50% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.9
2,935.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
30
读取速度,GB/s
6,336.8
11.2
写入速度,GB/s
2,935.8
7.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
2266
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
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