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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,935.8
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
45
左右 -25% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
36
读取速度,GB/s
6,336.8
15.3
写入速度,GB/s
2,935.8
11.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
2981
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM的比较
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1280CL 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
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