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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
45
左右 -67% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
5.4
2,935.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
27
读取速度,GB/s
6,336.8
11.2
写入速度,GB/s
2,935.8
5.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
1774
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM的比较
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
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Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
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