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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
45
左右 -96% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
2,935.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
23
读取速度,GB/s
6,336.8
15.5
写入速度,GB/s
2,935.8
8.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
2414
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM的比较
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
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Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
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