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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
55
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
6
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,935.8
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
55
读取速度,GB/s
6,336.8
16.0
写入速度,GB/s
2,935.8
12.9
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
2699
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
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