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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
30
读取速度,GB/s
13.2
17.2
写入速度,GB/s
8.4
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3592
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
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