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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
26
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
23
读取速度,GB/s
13.2
17.6
写入速度,GB/s
8.4
12.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2951
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
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