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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
13.2
17.8
写入速度,GB/s
8.4
15.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3773
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
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